Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)
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Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
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均勻性 |
±5% |
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硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
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樣品臺 |
直接冷卻,水冷 |
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離子源 |
Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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中和器 |
LFN 2000 |
采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 可以使 PV、RMS分別為1.347μm和340nm的粗糙表面, 通過蝕刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分別為61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 該刻蝕工藝能有效提高光學器件聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.
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