某芯片設(shè)計機構(gòu)研究部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 用于芯片去層.
Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:
真空腔 1 set, 主體不銹鋼,水冷
基片尺寸 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻,
離子源 ? 8cm 考夫曼離子源 KDC75
離子束入射角 0 Degree～± 90 Degree
極限真空 ≦1x10-4 Pa
刻蝕性能 一致性: ≤±5% across 4”
該 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)：
離子源型號 離子源 KDC 75
Discharge DC 熱離子
離子束流 >250 mA
離子動能 100-1200 V
柵極直徑 7.5 cm Φ
離子束 聚焦, 平行, 散射
流量 2-15 sccm
通氣 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力 < 0.5m Torr
長度 20.1 cm
直徑 14 cm
中和器 燈絲
無論對于工藝設(shè)計, 還是生產(chǎn)控制或者缺陷分析, 去層分析是一種重要手段, 芯片本身多層結(jié)構(gòu)（Passivation, metal, IDL）可一層一層去除, 也就是芯片去層（Delayer）, 通過層次去除（Delayer）可逐層檢視是否有缺陷, 并可提供后續(xù)實驗, 清楚呈現(xiàn)出每一層電路布線結(jié)構(gòu).
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上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王
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