Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術參數如下:
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Ф4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
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樣品臺 |
樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉 |
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離子源 |
20cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
±5% for 8”Ф |
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硅片蝕刻率 |
20 nm/min |
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溫度 |
<100 |
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 產品圖如上圖, 其主要構件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺. 如下圖：
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉, 實現樣品均勻地接受離子的轟擊, 進而實現提高樣品的加工質量.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.
通過采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 刻蝕后, 單點金剛石車削后的表面由初始的6.54nm RMS, 經過 1.76nm RMS 的平坦化層, 最終刻蝕轉移到 KDP 晶體表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.
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