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耐高溫，靶材的主要性能要求純度純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業的迅速發展，硅片尺寸由6”,8“發展到12”,而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。雜質含量靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如，半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。密度為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強度使靶材能地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。晶粒尺寸及晶粒尺寸分布通常靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

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