廈門韞茂粉末原子層沉積
一、粉末原子層沉積核心參數(shù)：
產地類別：國產原子層沉積系統(tǒng)（ALD）
襯底尺寸：10g-1000g粉末
工藝溫度：RT-300℃
前驅體數(shù)：2組反應氣體8組液態(tài)或固態(tài)反應前驅體
重量：300KG
尺寸(WxHxD)：1150*1030*1850mm
均勻性：在粉末表面實現(xiàn)均勻原子層包覆,包覆均一性<3%
二、原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、高保形的納米薄膜。
三、粉末原子層沉積產品描述：
廈門韞茂科技公司的GM系列自動粉末原子層沉積設備它可以在微納米粉體上實現(xiàn)均勻可控的原子層沉積或分子層沉積生長，GM1000的反應室可自動運行ALD(原子層沉積)或MLD(分子層沉積)，設備配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統(tǒng)，保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有粉末樣品桶、動態(tài)粉末流化機構、全自動溫度控制、ALD前驅體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業(yè)級安全控制，以及現(xiàn)場RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱等設計選項。是能源材料、催化劑材料、新型納米材料研究與應用的研發(fā)工具。
粉末原子層沉積
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