基本?（BASiC Semiconductor）PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊-工業(yè)級(jí)全碳化硅功率模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
基本?（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模塊B2M012120N
適用于液冷充電樁電源的基本?（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
適用于三相三電平維也納PFC的基本?（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何確保？
電力電子系統(tǒng)研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商提供可靠性測(cè)試報(bào)告的原始數(shù)據(jù)和器件封裝的FT數(shù)據(jù)。
SiC碳化硅MOSFET可靠性報(bào)告原始數(shù)據(jù)主要來自以下可靠性測(cè)試環(huán)節(jié)的測(cè)試前后的數(shù)據(jù)對(duì)比，通過對(duì)齊可靠性報(bào)告原始數(shù)據(jù)測(cè)試前后漂移量的對(duì)比，從而反映器件的可靠性控制標(biāo)準(zhǔn)及真實(shí)的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報(bào)告原始數(shù)據(jù)主要包括以下數(shù)據(jù):
SiC碳化硅MOSFET高溫反偏High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃VDS=100%BV
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（正壓）High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃VGS=22V
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（負(fù)壓）High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃VGS=-8V
SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃RH=85%VDS=80%BV
SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮Autoclave AC Ta=121℃RH=100%15psig
SiC碳化硅MOSFET溫度循環(huán)Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃
SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃Ton=2minToff=2min
FT數(shù)據(jù)來自碳化硅MOSFET功率器件FT測(cè)試(Final Test，也稱為FT)是對(duì)已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件進(jìn)行結(jié)構(gòu)及電氣功能確認(rèn)，以保證碳化硅MOSFET功率器件符合系統(tǒng)的需求。
通過分析碳化硅MOSFET功率器件FT數(shù)據(jù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)（比如V(BR)DSS，VGS(th)，RDS(on)，
IDSS）的正態(tài)分布，可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的穩(wěn)定性，這些數(shù)據(jù)的定性對(duì)電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)及大批量制造的穩(wěn)定性也非常關(guān)鍵。

碳化硅（SiC）功率模塊在工業(yè)市場(chǎng)有許多應(yīng)用。這些模塊通常用于提高電能轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)的效率，同時(shí)在高溫和高頻率環(huán)境下表現(xiàn)良好。以下是碳化硅功率模塊在工業(yè)市場(chǎng)中的一些主要應(yīng)用：
電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制： 碳化硅功率模塊可用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，提供高效率和高功率密度，降低能源損耗。
電源和逆變器： 在工業(yè)設(shè)備中，SiC功率模塊可用于設(shè)計(jì)高效率的電源和逆變器，適用于工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)床和其他高功率應(yīng)用。
可再生能源系統(tǒng)： 碳化硅功率模塊在太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用，提高了能源轉(zhuǎn)換效率。
焊接設(shè)備： 在工業(yè)焊接系統(tǒng)中，SiC功率模塊可以提供更高的功率密度、更高的頻率響應(yīng)和更高的效率。
電力傳輸與分配： SiC功率模塊可用于電力輸配系統(tǒng)，提供高效的電力轉(zhuǎn)換和分配。
電氣化交通： 在高速列車和電動(dòng)汽車中，碳化硅功率模塊可以提供更高的功率密度，減輕設(shè)備重量，提高系統(tǒng)效率。
工業(yè)加熱系統(tǒng)： 在高溫加熱系統(tǒng)中，SiC功率模塊可以提供更高的溫度穩(wěn)定性和更高的效率。
這些應(yīng)用表明碳化硅功率模塊在工業(yè)環(huán)境中能夠提供更高效、更可靠的解決方案，有助于提高系統(tǒng)性能并減少能源消耗。

張的一個(gè)重要部分。