焊機(jī)廠、變頻器廠、軟啟動廠、電梯廠、電源廠、礦山
普通會員
產(chǎn)品價(jià)格￥80.00元/個(gè)
產(chǎn)品品牌西瑪
最小起訂≥1 個(gè)
供貨總量1000 個(gè)
發(fā)貨期限自買家付款之日起 1 天內(nèi)發(fā)貨
瀏覽次數(shù)13
企業(yè)旺鋪http://www.bruse.cn/gongsi/anxindz918/
更新日期2021-03-05 18:22
會員級別：企業(yè)會員
身份認(rèn)證：
已 繳 納：0.00 元保證金
我的勛章： [誠信檔案]
在線客服：
企業(yè)二維碼： 企業(yè)名稱加二維碼
品牌： |
西瑪 |
所在地： |
上海 |
起訂： |
≥1 個(gè) |
供貨總量： |
1000 個(gè) |
有效期至： |
長期有效 |
1： |
5 |
2： |
6 |
3： |
7 |
西瑪可控硅晶閘管N1863CH24 N4400TC220
1、 過電壓保護(hù)
晶閘管對過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。
過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：
（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓
例如，交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的 2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高，在空載情況下斷開回路將會有更高的過電壓。
（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓
如切斷回路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大，都會產(chǎn)生比較大的過電壓。這種情況常出現(xiàn)于切除負(fù)載、正在導(dǎo)通的晶閘管開路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場合。
（3）換相沖擊電壓
包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。
針對形成過電壓的不同原因，可以采取不同的抑制方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；抑制過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。
（4）阻容吸收回路
通常過電壓均具有較高的頻率，因此常用電容作為吸收元件，為防止振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽極和陰極之間。吸收電路選用無感電容，接線應(yīng)盡量短。
（5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路
上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對時(shí)間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點(diǎn)是其動作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為 10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于 100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示。
標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時(shí)，其兩端的電壓值。
通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的沖擊電流值來表示。
因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱電壓值不僅會隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。
漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測得的流過壓敏電阻的電流。
還沒找到您需要的可控硅(晶閘管)產(chǎn)品？立即發(fā)布您的求購意向，讓可控硅(晶閘管)公司主動與您聯(lián)系！
立即發(fā)布求購意向本網(wǎng)頁所展示的有關(guān)【西瑪可控硅晶閘管N1863CH24 N4400TC220_可控硅(晶閘管)_上海鞍芯電子科技有限公司】的信息/圖片/參數(shù)等由商易網(wǎng)的會員【上海鞍芯電子科技有限公司】提供，由商易網(wǎng)會員【上海鞍芯電子科技有限公司】自行對信息/圖片/參數(shù)等的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性負(fù)責(zé)，本平臺（本網(wǎng)站）僅提供展示服務(wù)，請謹(jǐn)慎交易，因交易而產(chǎn)生的法律關(guān)系及法律糾紛由您自行協(xié)商解決，本平臺（本網(wǎng)站）對此不承擔(dān)任何責(zé)任。您在本網(wǎng)頁可以瀏覽【西瑪可控硅晶閘管N1863CH24 N4400TC220_可控硅(晶閘管)_上海鞍芯電子科技有限公司】有關(guān)的信息/圖片/價(jià)格等及提供【西瑪可控硅晶閘管N1863CH24 N4400TC220_可控硅(晶閘管)_上海鞍芯電子科技有限公司】的商家公司簡介、聯(lián)系方式等信息。
在您的合法權(quán)益受到侵害時(shí)，歡迎您向郵箱發(fā)送郵件，或者進(jìn)入《網(wǎng)站意見反饋》了解投訴處理流程，我們將竭誠為您服務(wù)，感謝您對商易網(wǎng)的關(guān)注與支持！
(c)2008-2018 DESTOON B2B SYSTEM All Rights Reserved sitemaps
關(guān)鍵詞：b2b電子商務(wù)平臺 免費(fèi)發(fā)布信息的平臺 電子商務(wù) B2B網(wǎng)站 免費(fèi)B2B平臺 B2B網(wǎng)上貿(mào)易 B2B信息平臺
免責(zé)申明：本站所有信息均由會員自由發(fā)布,本站不承擔(dān)由于內(nèi)容的合法性及真實(shí)性所引起的一切爭議和法律責(zé)任。
(c)2008-2018 DESTOON B2B SYSTEM All Rights Reserved sitemaps
魯ICP備13017841號 魯公安備案號:37089702000221
客服：
戰(zhàn)略合作：
