Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數
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Φ4 inch X 12片 |
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基片尺寸 |
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Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
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均勻性 |
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±5% |
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硅片刻蝕率 |
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20 nm/min |
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樣品臺 |
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直接冷卻,水冷 |
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離子源 |
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Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
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離子源型號 |
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RFICP 220 |
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Discharge |
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RFICP 射頻 |
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離子束流 |
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>800 mA |
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離子動能 |
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100-1200 V |
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柵極直徑 |
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20 cm Φ |
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離子束 |
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聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
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10-40 sccm |
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通氣 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
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< 0.5m Torr |
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中和器 |
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LFN 2000 |
推薦 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 理由:
1. 客戶要求規模化生產, Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 適合大規模量產使用
2. 刻蝕均勻性 5%, 滿足客戶要求
3. 硅片刻蝕率 20 nm/min
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上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王
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M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
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