Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE技術(shù)參數(shù):
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基板尺寸 |
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< Ф8 X 1wfr |
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樣品臺(tái) |
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直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) |
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離子源 |
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16cm |
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均勻性 |
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±5% for 4”Ф |
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硅片刻蝕率 |
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20 nm/min |
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溫度 |
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<100 |
該制造商采用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)：
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離子源型號(hào) |
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離子源 KDC 160 |
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Discharge |
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DC 熱離子 |
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離子束流 |
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>650 mA |
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離子動(dòng)能 |
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100-1200 V |
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柵極直徑 |
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16 cm Φ |
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離子束 |
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聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
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2-30 sccm |
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通氣 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
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< 0.5m Torr |
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長(zhǎng)度 |
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25.2 cm |
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直徑 |
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23.2 cm |
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中和器 |
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燈絲 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 配的是 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蝕室的真空度.
其產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):
1.結(jié)構(gòu)緊湊但功能強(qiáng)大的渦輪泵，用于 N2 時(shí)的最高抽速可達(dá) 685 l/s
2.最jia真空性能，最低功耗
3.集成的帶 Profibus 的驅(qū)動(dòng)電子裝置 TC 400
4.可在任何方向安裝
5.帶有集成型水冷系統(tǒng)以保證最大氣體流量
6.通過(guò) M12 插接頭的 Profibus 連接
7.廣泛的配件擴(kuò)展使用范圍
運(yùn)行結(jié)果:
1. 經(jīng)過(guò) Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 對(duì)碳化硅微納結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕, 以調(diào)控結(jié)構(gòu)的線寬和深度, 使結(jié)構(gòu)表面粗糙度由約106nm降低到11.8nm.
2. 碳化硅菲涅爾波帶片展現(xiàn)出良好的聚焦和成像效果.
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