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	IV1Q12080T4Z IV1Q12080T4Z–1200V 80mΩ SiC MOSFET特點· 高壓、低導通電阻· 高速、寄生電容小·高工作結溫· 快速恢復體二極管· 開爾文連	2024-10-10
	IV2Q12080T4Z IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術與+15V+18V門驅動器·高阻塞電壓與低電阻	2024-10-10
	IV1Q12080T4Z IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特點· 高壓、低導通電阻· 高速、寄生電容小·高工作結溫· 快速恢復體二極管· 開爾文	2024-10-07
	IV2Q12017T4Z IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術與+18V門驅動·高阻塞電壓與低電阻·高速	2024-10-07
	IV2Q12080T4Z IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術與+15V+18V門驅動器·高阻塞電壓與低電阻	2024-10-07
	IV3Q12013T4Z IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技術與+15+18V門驅動·高阻塞電壓低電阻·高	2024-10-07
	IV1Q12080T4Z 瞻芯電子 IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特點· 高壓、低導通電阻· 高速、寄生電容小·高工作結溫· 快速恢復體二極管· 開爾文	2024-10-07
	IV3Q12013T4Z IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技術與+15+18V門驅動·高阻塞電壓低電阻·高	2024-09-28

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