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SiC MOSFET IV2Q12017T4Z
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術與+18V門驅動·高阻塞電壓與低電阻·高速 		2024-08-26
SiC MOSFET IV2Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特點· 高壓、低導通電阻· 高速、寄生電容小· 高工作結溫·快速恢復體二極管·開爾文 		2024-08-26
SiCMOSFET IV3Q12013T4Z
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技術與+15+18V門驅動·高阻塞電壓低電阻·高 		2024-08-26
IV1Q12080T4Z
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特點· 高壓、低導通電阻· 高速、寄生電容小· 高工作結溫·快速恢復體二極管·開爾文 		2024-08-23
IV2Q12017T4Z
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術與+18V門驅動·高阻塞電壓與低電阻·高速 		2024-08-23
IV2Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特點· 高壓、低導通電阻· 高速、寄生電容小· 高工作結溫·快速恢復體二極管·開爾文 		2024-08-23
IV3Q12013T4Z
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技術與+15+18V門驅動·高阻塞電壓低電阻·高 		2024-08-23
IV1Q12080T4Z 瞻芯電子
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特點· 高壓、低導通電阻· 高速、寄生電容小·高工作結溫· 快速恢復體二極管· 開爾文 		2024-08-23
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