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儲能變流器PCS液冷碳化硅SiC MOSFET功率模塊
發(fā)布時間:2024-04-05        瀏覽次數(shù):11        返回列表
基本?(BASiC Semiconductor)的碳化硅功率器件產(chǎn)品在批量投入市場前都需要通過規(guī)定的可靠性測試,以確保每一款器件的性能長期穩(wěn)定可靠。基本?(BASiC Semiconductor)配備了1500m2碳化硅功率器件工程實驗室,專注于研發(fā)設(shè)計驗證、新材料與實驗技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)品功能試驗和可靠性試驗,是功率半導體領(lǐng)域研發(fā)測試的綜合實驗室。

基本?(BASiC Semiconductor)將持續(xù)以零缺陷為目標,不斷改進科學嚴格的質(zhì)量控制方法,精進技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量,持續(xù)為光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等行業(yè)客戶提供更高性能、更可靠的產(chǎn)品和服務(wù)。
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