基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M065120R在新能源汽車電動壓縮機(jī)電控中的應(yīng)用

新能源汽車采用電動壓縮機(jī)驅(qū)動空調(diào)制冷。由于純電動汽車沒有發(fā)動機(jī)，壓縮機(jī)需要靠電力驅(qū)動，電動壓縮機(jī)比傳統(tǒng)壓縮機(jī)多出了驅(qū)動電機(jī)、控制器等結(jié)構(gòu)。空調(diào)制熱方面，燃油汽車空調(diào)可借助發(fā)動機(jī)的動力和余熱。而新能源汽車沒有多余的熱量，制熱通常是使用 PTC 加熱器或熱泵空調(diào)。PTC 加熱器是新能源汽車的傳統(tǒng)加熱方法，由于耗電量大，有被熱泵空調(diào)逐漸取代的趨勢。
熱泵空調(diào)電動壓縮機(jī)控制器主要使用的功率器件是硅IGBT,但硅IGBT在高壓情況下的損耗遠(yuǎn)大于基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M065120R,采用貼片封裝，提升電動壓縮機(jī)控制器PCBA的生產(chǎn)效率和良率，適合尤其是壓縮機(jī)工作在輕載工況下,控制器中基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET的損耗可降低至硅IGBT方案的一半以下?而車用空調(diào)壓縮機(jī)通常工作在輕載工況下,可以極大發(fā)揮基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET的優(yōu)勢,從而減少空調(diào)熱泵系統(tǒng)的損耗,有利于電動汽車的熱管理,降低整車電能的消耗,提高新能源汽車的續(xù)航能力?

電動汽車熱管理800V高壓充電平臺的基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M065120R和硅IGBT,對比兩者間的器件開關(guān)損耗?基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M065120R使用在壓縮機(jī)控制器上提高了壓縮機(jī)的效率,有利于電動汽車的熱管理?傳統(tǒng)的1200V硅IGBT方案由于開關(guān)損耗較大,散熱問題嚴(yán)重,因此一般限制在15kHz以內(nèi)?采用基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M065120R方案后,可以通過提升逆變器開關(guān)頻率,以減小輸出電流的總諧波畸變率,從而減小壓縮機(jī)的諧波損耗,提升壓縮機(jī)的效率,進(jìn)一步提高空調(diào)熱泵系統(tǒng)的效率,更有利于電動汽車空調(diào)熱管理?
  
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。