專業分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半導體碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊，BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導體單管IGBT，BASiC基本半導體IGBT模塊，BASiC基本半導體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊，BASiC 混合IGBT單管，BASiC 混合IGBT模塊，BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊適合應用于雙向AC-DC電源，能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器，變換效率高，儲能變流器碳化硅SiC功率MOSFET，單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片（帶VCE保護）BTD3011, 基本半導體混合IGBT模塊被廣泛應用于新能源領域，醫療電源，X射線高壓電源，大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實現直流升壓降壓轉換，儲能PCS-Buck-Boost電路，高壓側接入PV直流側，三相維也納PFC電路,三... [詳細介紹]