專業(yè)分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊，BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT，BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊，BASiC 混合IGBT單管，BASiC 混合IGBT模塊，BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊適合應(yīng)用于雙向AC-DC電源，能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器，變換效率高，儲(chǔ)能變流器碳化硅SiC功率MOSFET，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011, 基本半導(dǎo)體混合IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域，醫(yī)療電源，X射線高壓電源，大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實(shí)現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，高壓側(cè)接入PV直流側(cè)，三相維也納PFC電路,三... [詳細(xì)介紹]