國產SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何確保？
電力電子系統研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應商提供可靠性測試報告的原始數據和器件封裝的FT數據。
SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數據主要來自以下可靠性測試環(huán)節(jié)的測試前后的數據對比，通過對齊可靠性報告原始數據測試前后漂移量的對比，從而反映器件的可靠性控制標準及真實的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數據主要包括以下數據:
SiC碳化硅MOSFET高溫反偏 High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃ VDS=100%BV
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（正壓） High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃ VGS=22V
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（負壓） High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃ VGS=-8V
SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏 High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃ RH=85% VDS=80%BV
SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮 Autoclave AC Ta=121℃ RH=100% 15psig
SiC碳化硅MOSFET溫度循環(huán) Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃
SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命 Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃ Ton=2min Toff=2min
FT數據來自碳化硅MOSFET功率器件FT測試(Final Test，也稱為FT)是對已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件進行結構及電氣功能確認，以保證碳化硅MOSFET功率器件符合系統的需求。
通過分析碳化硅MOSFET功率器件FT數據的關鍵數據（比如V(BR)DSS，VGS(th)，RDS(on)，
IDSS）的正態(tài)分布，可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的穩(wěn)定性，這些數據的定性對電力電子系統設計及大批量制造的穩(wěn)定性也非常關鍵。
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