西安某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在納米純 Ti 薄膜的研究中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積納米純 Ti 薄膜, 制備出的純Ti薄膜可集膜層致密光滑、沉積速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等優(yōu)點(diǎn).

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

該濺射沉積是在真空度為 9×10^-5Pa—3×10^-4Pa 的真空腔里, 通入氣流量為 70ml/min 的氬氣, 利用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 產(chǎn)生的氬離子轟擊靶材, 濺射沉積 Ti 膜層, 鍍膜持續(xù)時(shí)間30～90min; 完成鍍膜的樣品待冷卻后, 取出.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

因此, 該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

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